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发布时间:2019/8/12 14:07:00 访问次数:37 发布企业:深圳振华航空半导体有限公司

图1:SK海力士NAND产品发展路线图 图1:SK海力士NAND产品发展路线图 多级存储器最终达到5bit/cell 在当天的FMS会上,让人惊讶的是,东芝存储也宣布了两项基本技术来提高3D NAND闪存的存储密度。 图2:通过东芝存储的QLC(4位/单元)技术分配阈值电压。 图2:通过东芝存储的QLC(4位/单元)技术分配阈值电压。 图2: 通过东芝存储的QLC(4位/单元)技术分配 阈值电压 一种是多值存储技术。该公司宣布将开发“PLC技术”,将5位数据存储在一个存储单元中。这听起来是一个令在场听众超级震惊的消息。 图3:东芝存储公司推出的PLC(5位/单元)技术的阈值电压分布。 图3:东芝存储公司推出的PLC(5位/单元)技术的阈值电压分布。 传统的多级存储系统通常是QLC(四级单元)技术,其将4位数据存储在一个存储器单元中。在QLC技术中,在一个存储器单元中写入15级的阈值电压。相邻阈值电压之间的差异很小并且调整非常困难。因此,QLC技术被认为是多级存储的限制。 然而,东芝存储已经打破了这种信念。他们已经展示了当在一个存储器单元中写入31个阈值电压时的实验结果。东芝联合开发合作伙伴Western Digital也展示了一个包含5位/单元的多级内存。顺便说一句,将QLC更改为PLC会使内存密度增加25%。 图4:Western Digital的多级存储方法解释幻灯片。 图4:Western Digital的多级存储方法解释幻灯片。 图4: Western Digital的多级存储方法解释幻灯片。 双倍内存密度的终极方法 另一种技术是通过将存储器单元的字线分成两半来将每个存储器通孔的存储器单元数量加倍。尽管很难制造,但存在原则上存储密度加倍的优势。 东芝存储展示了电荷陷阱(CT)单元和浮栅(FG)单元的横截面观察图像,其中字线被分成两半。 图5:通过将存储器单元字线分成两半来将存储器密度加倍。左边是概念。右边是原型单元结构和横截面观察图像。 图5:通过将存储器单元字线分成两半来将存储器密度加倍。左边是概念。右边是原型单元结构和横截面观察图像。 图5: 通过将存储器单元字线分成两半来将存储器密度加倍。 左边是概念。 右边是原型单元结构和横截面观察图像。

3D NAND闪存主要供应商开发的意愿似乎根本没有削弱。毫无疑问,超高层,多值存储和存储器单元划分是极其困难的技术。不过,可以说这个行业别无选择,只能去做。

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