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S9S08LG32J0VLK保证现货,特价!

发布时间:2019/8/12 15:42:00 访问次数:53 发布企业:深圳市力驰芯科技有限公司

S9S08LG32J0VLK8位微控制器芯片,原装现货,价优!

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制造商: NXP
产品种类: 8位微控制器 -MCU
RoHS: 详细信息
安装风格: SMD/SMT
封装 / 箱体: LQFP-80
系列: S08LG
核心: S08
数据总线宽度: 8 bit
最大时钟频率: 40 MHz
程序存储器大小: 32 kB
数据 RAM 大小: 2 kB
ADC分辨率: 12 bit
输入/输出端数量: 69 I/O
工作电源电压: 2.7 V to 5.5 V
最小工作温度: - 40 C
最大工作温度: + 105 C
资格: AEC-Q100
封装: Tray
程序存储器类型: Flash
商标: NXP / Freescale
数据 Ram 类型: RAM
接口类型: I2C, SCI, SPI
湿度敏感性: Yes
ADC通道数量: 16
处理器系列: S08LG
产品类型: 8-bit Microcontrollers - MCU
工厂包装数量: 450
子类别: Microcontrollers - MCU
零件号别名: 935311845557
单位重量: 637.550 mg
格罗方德:已研发出12nm工艺的3D封装Arm芯片 2019-08-12标签:半导体元件与制造来源:IT之家

根据外媒Tom's Hardware的报道, GlobalFoundries (格罗方德)本周宣布,已经使用其12nm FinFET工艺成功制成了高性能的3D Arm芯片。



格罗方德表示:“这些高密度的3D芯片将为计算应用,如AI/ML(人工智能和机器学习)以及高端消费级移动和无线解决方案,带来新的性能和能源效率。”


据报道,格罗方德和Arm这两家公司已经验证了3D设计测试(DFT)方法,使用的是格罗方德的混合晶圆对晶圆键合。这项技术每平方毫米可支持多达100万个3D连接,使其具有高度可扩展性,并有望为12nm 3D芯片提供更长的使用寿命。


对于3D封装技术,英特尔去年宣布了其对3D芯片堆叠的研究,AMD也谈到了在其芯片上叠加3D DRAM和SRAM的方案。


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