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FF1200R17KE3

发布时间:2019/8/13 10:03:00 访问次数:41 发布企业:深圳市明烽威电子有限公司

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FF1200R17KE3 Infineon
FF1200R17KE3 Infineon

FF1200R17KE3 Infineon
制造商: Infineon
产品种类: IGBT 模块
RoHS: N
配置: Dual
集电极—发射极最大电压 VCEO: 1700 V
集电极—射极饱和电压: 2 V
在25 C的连续集电极电流: 1600 A
栅极—射极漏泄电流: 400 nA
Pd-功率耗散: 5.95 kW
封装 / 箱体: IHM130-10
最小工作温度: - 40 C
最大工作温度: + 125 C
封装: Tray
高度: 38 mm
长度: 140 mm
宽度: 130 mm
商标: Infineon Technologies
安装风格: SMD/SMT
栅极/发射极最大电压: +/- 20 V
产品类型: IGBT Modules
工厂包装数量: 2
子类别: IGBTs
零件号别名: FF1200R17KE3

制造商: Infineon
产品种类: IGBT 模块
RoHS: N
配置: Dual
集电极—发射极最大电压 VCEO: 1700 V
集电极—射极饱和电压: 2 V
在25 C的连续集电极电流: 1600 A
栅极—射极漏泄电流: 400 nA
Pd-功率耗散: 5.95 kW
封装 / 箱体: IHM130-10
最小工作温度: - 40 C
最大工作温度: + 125 C
封装: Tray
高度: 38 mm
长度: 140 mm
宽度: 130 mm
商标: Infineon Technologies
安装风格: SMD/SMT
栅极/发射极最大电压: +/- 20 V
产品类型: IGBT Modules
工厂包装数量: 2
子类别: IGBTs
零件号别名: FF1200R17KE3

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