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BM60212高侧和低侧驱动器,进口全新原装现货,优势供应!

发布时间:2019/8/13 10:04:00 访问次数:42 发布企业:深圳市和谐世家电子有限公司

BM60212高侧和低侧驱动器 ROHM的驱动器工作电压高达1200 V,可驱动N沟道功率MOSFET和IGBT

ROHM BM60212高低侧驱动器的图片 ROHM的BM60212FV-C是高端和低端驱动器IC,工作电压高达1200 V,具有自举操作,可驱动N沟道功率MOSFET和IGBT。内置欠压锁定(UVLO)功能和米勒钳位功能。

特征 AEC-Q100合格 高侧浮动电源电压1200 V. 有源米勒钳位 欠压锁定功能 3.3 V和5.0 V输入逻辑兼容1级 最大栅极驱动电压:24 V. MOSFET栅极驱动器 IGBT栅极驱动器 高侧浮动电源电压:1200 V 开启/关闭时间:75 ns(最大值) 逻辑输入最小脉冲宽度:60 ns 典型应用电路 典型应用电路图

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