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HY27UF084G2B-TPCB存储芯片优质供应商

发布时间:2019/8/13 15:34:00 访问次数:36 发布企业:深圳振华航空半导体有限公司

在本周的国际固态电路会议上,SK 海力士详细披露了自家即将上市的 DDR5-6400 内存芯片的一些技术细节。该公司的 16 Gb DDR5 芯片的规模成本,导致其初期成本可能非常高昂。不过每平方毫米 DRAM 密度的增加,有望让 SK 海力士打造出相当经济的 8Gb DDR5 IC 。SK 海力士描述道:这款 DDR5 内存采用了单颗 16Gb 的存储颗粒(32 & 8 banks 组成),工作电压 1.1V、传输速率 6400 MT/s 。 EETimes 报道称,其采用 SK 海力士的第二代 10nm 工艺制造(1y nm 技术 / 四金属层),封装尺寸为 76.22 平方毫米。 TechInsights 指出,海力士的 8Gb DDR4 内存,使用了第一代 21nm 制造工艺,封装尺寸也是 76 平方毫米。不过类似的 DDR5 产品,核心尺寸只有 53.6 平方毫米。 得益于存储密度的增加,SK 海力士有望为 PC 客户打造成本相对较低的 8Gb DDR5 芯片。此外,DDR5 DRAM 还能够带来更高的性能(更高的工作频率)。 为减少影响高频工作稳定性的时钟抖动和占空比失真,SK 海力士必须制作一套新的延迟锁定环(DLL)方案。该公司的选择,是采用相位旋转器和注入锁定振荡器。

此外,该芯片还配备了可修正的前向反馈均衡(FFE)电路,以及全新的写入级别训练方法(同样支持更高频的时钟)。

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公司:深圳振华航空半导体有限公司
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