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STP4NK60ZFP

发布时间:2019/8/13 17:22:00 访问次数:39 发布企业:深圳市中意法电子科技有限公司

型号:STP4NK60ZFP

品牌:ST

参数说明:

FET 类型 N 沟道 技术 MOSFET(金属氧化物) 漏源电压(Vdss) 600V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 4A(Tc) 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 10V 不同Id,Vgs 时的Rds On(最大值) 2 欧姆 @ 2A,10V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 4.5V @ 50μA 不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg)(最大值) 26nC @ 10V Vgs(最大值) ±30V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 510pF @ 25V FET 功能 - 功率耗散(最大值) 25W(Tc) 工作温度 150°C(TJ)

深圳市中意法电子科技有限公司

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